2. 片状组合三极管（复合三极管）
这类片状三极管为近年开发的新型片状三极管。它是在一个封装中有两个三极管，不同的组合三极管中三极管的连接方式不一样，如图3～图6所示。这类片状三极管往往是专为某些产品生产的，但目前已推广应用。典型的封装有UM5、SO-25（5引脚）及UM6、SOT-36（6引脚）。
这里要指出的是UM5与FMT封装的管脚排列是不同的（参看图1），UM6与IMD封装的管脚排列也是不同的，在使用时要特别注意！
日本的150#、450#对讲机中就采用了一些片状组合三极管，如FMS-1、FMG2、FMA2及FM4A等。
常用的片状组合三极管的详细资料因篇幅所限，将放到本刊今年的增刊中，敬请留意出版时间。
片状场效应管
与双极型相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、交叉调制失真小等特点。片状场效应管也分成结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。JFET主要用于小信号场合，MOSFET既有用于小信号场合，也有用作功率放大或驱动的场合。
1. 片状JFET
片状JFET一般采用SOT-23（TO-236AB）封装，其管脚排列见图7（有两种不同排列）。用于VHF/UHF射频放大器应用的有MMBFJ309LT1（N沟道，SOT-23封装，型号代码为6U）。通用的小信号放大JFET有MMBF54S7LT1（N沟道，SOT-23封装，型号代码为M6E）等。它们常用作阻抗变换或前置放大器等。
2. 片状MOSFET
片状MOSFET的最大特点是具有优良的开关特性，其导通电阻逐年降低（一般为零点几欧姆到几欧姆，小的仅为几毫欧到几十毫欧），所以自身管耗较小，小尺寸的片状器件却有较大的功率输出。目前应用较广的是功率MOSFET，它用作驱动器（驱动硬盘、打印机、复印机等）、DC/DC变换器、伺服/步进马达控制、功率负载开关、固态继电器、充电器等。
这里介绍一组性能良好、小尺寸SO-8封装（厚度仅1.5mm）的功率MOSFET系列，它就是Siliconix公司的Si94XXDY及Si99XXDY系列。前者是单P沟道或N沟道增强型功率MOSFET，后者是两个功率MOSFET封装在一起的器件（有双P沟道、双N沟道及一个N沟道及一个P沟道的结构）。该系列采用特殊的铜结构引线框架，有优异的导热性能，无需散热片而其连续耗散功率可达2W，其结构如图8所示。
该系列主要特点有：其栅极可用TTL逻辑电平驱动；最大电流可达10A；开关速度快，小于150ns；导通电阻RDS（ON）小（最小为30mΩ）；输入阻抗高，泄漏电流小。该系列的主要参数如表2所示。
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