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2.200k电阻：上臂0，下臂1，Q=0.016 1.000k电阻：上臂1，下臂1，Q=0.000 0.330k电阻：上臂1，下臂0，收音 无线电DIY制作，Q=-0.016 0.200k电阻：上臂2，下臂0，Q=-0.020 0.100k电阻：上臂2，下臂0，Q=-0.020 0.051k电阻：上臂3，下臂0，Q=-0.036 由上表的低阻部分可知，3倍档移相0.016弧度，10倍档移相0.02弧度，30倍档移相是0.036弧度，正好就是前两档之和0.016+0.020，与理论值相符。 上表的高阻部分，如51k档时的移相，未能到达现实的+0.036，这是表笔分布电容形成的。 顺序设计时，只需已知缩小器的总移相θ，就可能对结果停止批改。 设原测阻抗是a+jb 批改方法是：a 2= a*cosθ-b*sinθ，b2=a*sinθ+b*cosθ 本LCR表，只需在菜单7中输入两个缩小器的移相的弧度参数的1000倍即可。当然，测量缩小器移相时，这两个参数必需置0 批改后电阻验证法：取上述被测电阻重测，相位误差应为0，即Q=0 批改后电容验证法：在20欧档验证CBB、CL电容，取两个两同0.47uF CL电容，它的ESR稍大，单个测得ESR为R，两个串联则应为2R，并联须为R/2。测量低压的CBB，不管如何串并联，测得的ESR普通为0，Q为999显示。也可能用低压CBB电容串联低阻电阻，失去可测定的ESR 上述测量用7.8kHz档。 V/I变换器的相位补救： V/I变换器引入的相位误差有两方面 高频低阻大电流测量，相位误差主要是引线电感及仪表三运放的共模克服才干惹起的。这方面毋庸软件批改，三运放的共模克服良好，其误差可忽略，引线电感可能驳回相对值法消弭，与万用表200欧档测量电阻时“去除表笔电阻”得真值的原理差不多。 高阻测量，V/I变换器的相位的误差就比较费事，最好驳回软件批改。 高阻相位误差起源可分两部分： 其一、分布电容引入的附加耦合，如虚地对信号源热端的分布电容，TL082内部两运放的分布电容耦合、信号源品质等，都能够形成信号耦合。因此上臂的电流实为被测Zx上的电流与附加耦合的电流之和。其二、来自下臂输出对虚地的耦合（或其它受控源耦合），等效为下臂电阻上并联了一个分布电容。它形成下臂输出相位滞后。100k档相位误差最重大，而10k档相位误差按100k档相位误差的1/10预算即可。从频域看，相当于下臂电压发生了小量顺时针旋转（滞后），而对幅值的影响基本可能忽略。 以下建模计算分析。测试线分布参数属于被测电抗X的一部分，上臂限流电阻与下臂电阻等值，都是100k，记作R，运放照应延时等效阻抗为Z1（并联在下臂R上），LCR表测得下、上桥臂阻抗比为k，无相位误差时k的现实值为k=U2/U1=R/X，而实践存在如下关系： R是已知的，k可能由LCR表间接测得，A可能经过校准失去，当B也测得，那么就有X=k*R*A*B。其中，Z0与Z1只相当于几个皮法电容的电抗，所以电抗很大。 那么，应如何理解A和B呢？当X很小时，如X=2k欧或5k欧，B是凑近于1的，相位偏移量的附加量是A惹起的，B几乎不起作用。当X很大时，A和B同时惹起相位偏移，偏移量是A*B的角度量。 假设仅用Z=k*R*A示意测量结果，那么Z实践上是Z = X/B = X/[1+X/(Z0+R)] = X*(Z0+R)/(X+Z0+R) = X//(Z0+R)，高阻测量时，X是被测电容与表笔分布参数的并联电抗，而且Z0+R与X并联，说明最终失去的Z是Z0+R、表笔电容、被测电抗者的并联值。 综上，A示意V/I变换器的的附加相位偏移，B则反响一个论断，用Z=k*R*A作为结果时，它是开路剩余电抗（Z0+R与表笔电抗并联）与被测电抗的并联值，因此，为了失去X，应以并联法扣除开路剩余电抗。 经过以上分析，就可能失去一个很有效的A值测量打算：测定时，用Z=k*R计算阻抗。因为Z0和Z1比R大得多，所以A的模值凑近于1，他对测量结果的模幅值的影响可能忽略，只有思考A惹起的移相，免得形成Q值测量重大误差。接入5k被测色环电阻（5k电阻Q值几乎为0的），B就凑近于1且车辐角凑近于0，因此测得Q值正是A的相位。所以，A就是模值为1，辐角为Q的双数。 直得留意的是，DDS前级、后级缩小器输出也会存在一些剩余耦合，高阻测量时，它也会使V/I变换器发作相位偏移。它们的影响，异样可能归算到A和B之中。 V/I变换器负反应电阻上并联一个小电容，从输出端看，它惹起电压相位滞后。从输入端看，相当于入一个超前的电流（超前补救）。频率越高，这种反应越强。有的LCR表驳回一些技巧，减小高频反应，如，100k反应电阻利用10k与90k串联，串联的核心对地接一个小电容，这个电路，在高频时对反应信号旁路，减弱了高频反应，起到了补救作用。 十、多途验证记载： 验证1：高Q测量精度验证 取0.1uF/630V CBB22电容做为基准器件。这种电容具用很高Q值，它的Q值是大于这个LCR表的测量上限的。 X=16k，800至999(10k档) X=1.6k，700至999（1k档） X=200欧，500至999(1k档)，999(7.8k档) 本LCR表有效测量上限为300左右。测得以上Q值，属反常，上误差容许范畴内。本LCR表最大显示限度为999 验证2：低Q测量精度验证 取0.1uF/630V CBB22高Q电容，与3.14欧电阻并联。并联之前测得容量为101nF 用并联法测量。1kHz，测得容量为60nF，7.8kHz测得容量为80nF（此时Q值显示为0.012左右） 理论Q值是3.14/200=0.016，实测0.012，误差4字 经查，这4字误差是二线法测量形成的。转到串联形式，表笔短路，测得表笔剩余电抗是+9毫欧。 大串联法重测这个阻容并联体，等效串联电抗是-37毫欧，显然，去除表笔剩余值后，正确值是46毫欧。因此，矫正后Q值是46毫欧/3.14=0.015，与理论值很凑近。 验证3： 测量0.47uH空心线圈（Q表测量），测值也是0.47uH（已去除表笔剩余电感） 验证4： 取一段0.18平方毫米铜线，对拆绞合，构成无感电阻。今测其剩余电感。 用7.8kHz，20欧档，测得电感量是0.36uH，ESR=294毫欧，去除表笔电感量0.20uH，得电感量0.16uH 用1MHz高频伏安法测得约值是0.2uH 因为这种电感Q值低，电感量不好测量，两种测法误差都比较大，而且电感与频率相干，故只能做粗略比较。两种测法所得结果差不多。 验证5： 20pF小电容测量，与Q表对比，仅相差0.1pF 验证6： 取5个5pF电容并联，测量Q值，失去Q=300，还算满意。 验证7： 接入10欧电阻测试分辨力，用100k档测量，测得三种频率下阻值均为10欧（跳动正负0.5欧） 验证8： 测试电阻，测了几十个电阻，误差均小于0.5% 验证9： 用网线测量毫欧电阻。应用长度测量换算电阻，并与测值比对，可分辨1毫欧。网线电阻率事前用直流电桥测定。 验证10： 取相反的0.47uF/630V CBB22，镀锡包铜钢线引脚，测得单个Q=999（超量程），两个相反的电容并联或串联，也是Q=999。显示正确 验证11： 1uF/400V CL21电容，测得ESR=0.18欧，EPR=2.2k 0.47uF/630V CBB22电容，测得ESR=0.01欧，EPR=百几k欧 测试线电阻0.013欧 两电容并联，测得EPR=2.1k，ESR=0.10欧 计算验证：去除导线电阻，两电容ESR区分为0.17，0.00，并联后的ESR为0.17*(1/1.47)^2+0.013=0.09，与测值0.10相近。 验证13： (责任编辑：admin) |
