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写在前面： 上星期五、六两天用了大约十几个小时的时间做了一台MOS管栅漏极转移特性测试器并进行测试，得到了8只MOS管的转移特性数据，又用了两天的时间整理数据、构思这篇文章，原想用尽量短的篇幅将MOS管检波原理和对测试数据分析以及得出的结论进行通俗的描述，但是自认为把问题讲清楚时，文章已经很长了，几经推敲修改篇幅未能缩短多少，只好硬着头皮贴出来了，如果哪位兄弟有兴趣就请耐住性子慢慢看吧。 正文： 前几天收到了张兄寄来的6只MOS管，这6只管子共有3种型号每种有两只。张兄希望能测出哪种检波效果好，这3种MOS管都是贴片管子，具体型号不详，管子上印的字分别是“MC”、“UM”和“3DQ”。正好我手中还有另外几种型号的MOS管，正好凑在块儿测试一次。 为了测试方便，将管子分别焊接在9针D型插座上，将张兄寄来的3种管子插到矿机试听，发现印字为“MC”的管子不响，另外两种都能检波，用指针万用表电阻档简单测试发现不响的“MC”管是耗尽型的，于是将其剔除不测试了。 这样,我手中在矿机上试听能响的MOS管子共有6种，分别是：三年前梁兄寄给我两只MOS管中的一只、旧高频头拆出的K103和U65，还有这回张兄寄来的3DQ和UM，再有就是大名鼎鼎的ALD110800。.因为梁兄以前试验发现3DQ检波效果非常好，张兄也来电话说他实验再生矿机也是3DQ比较好，看来3DQ是测试重点了，为此我将另一只3DQ也焊上了插座一同测试。为了能测明耗尽型MOS管检波效果不好的原因，将一只从旧高频头拆出的耗尽型管子K122也装上了插座，这样，参加测试的MOS管共有8只，为了测试方便将除去110800外的7只管子编了号： 编号： 1 2 3 4 5 6 7 管子：K103 UM 3DQ 3DQ U65 梁兄管 K122 下面就是这7只管子的照片：  临时做了一台MOS管转移特性测试仪，电路如下：  测试中：  每种管子测到的数据如下： 1号 K103： Vg（V）： 0.154 0.15 0.18 0.2 0.23 0.26 0.3 0.35 0.4 0.5 Id（μA）： 0 0.1 0.17 0.29 0.62 1.27 3.25 9.55 25.4 118 2号 UM： Vg（V）： 0.029 0.1 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 Id（μA）： 0 0.06 1 3.63 12.1 34.8 81.9 161.6 285 3号 3DQ Vg（V）： -0.2 -0.1 -0.05 0 0.05 0.1 0.15 0.2 Id（μA）： 0 10 31 79 158 278 449 644 4号 3DQ Vg（V）： -0.2 -0.1 -0.05 0 0.05 0.1 0.15 0.2 Id（μA）： 0 6 18 53 116 223 362 534 5号 U65 Vg（V）： 0.026 0.1 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 Id（μA）： 0 0.06 0.99 3.48 10.9 31 73 146 262 6号 梁兄管 Vg（V）： 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 Id（μA）： 0 0.23 3.98 13.58 37.6 82 153 7号 K122 Vg（V）： -0.74 -0.5 -0.45 -0.4 -0.35 -0.3 -0.25 Id（μA）： 0 5.5 18 52 122 247 429 下面是根据以上测出的数据绘制出的个管的栅漏极转移特性曲线图：   前天 21:29 上传 下载附件 (20.42 KB)      众所周知ALD110800是零栅压MOS管，也是最早被用来做MOS管检波的，刚好我有ALD110800，也就冒险测了110800的转移曲线，所谓冒险是因为110800太容易损坏了，3年前梁兄寄给我了一套MOS管的检波组件这回派上了用途，110800是4只MOS管集成在一起的，梁兄寄来的组件是将4只管子并连的，所以我测到的110800 的转移曲线是4 管并联的曲线。 下面就是ALD110800的测试照片：   下面是测到的ALD110800的数据： Vg（V）： -0.2 -0.1 0 0.05 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 Id（μA）：0 0.57 3.9 8 15.4 42.1 87 116 150 187 230 下面就是ALD110800的栅漏极转移特性曲线图：  用MOS管检波的原理是用调谐回路接收到的信号控制MOS 管的栅极，从而控制MOS管内部源极与漏极间的导电沟道，使信号的一个半周有电流通过MOS管的源极和漏极对负载形成电流，而另半周没有电流或是只有很小的反向电流，完成检波工作。 （承上页） 从测试数据和转移特性曲线反映出的问题： 1.耗尽型MOS管： 从7号耗尽型管子K122的曲线和数据中可以看出，管子在栅压低于-0.74V时导电沟道才消失，因此在加到栅极的信号电平的峰值高于-0.74V时，管子的导电沟道一直存在，在这种情况下无论信号的正半周都能通过MOS管的源—漏两级在负载上形成电流，也就是没有单向导电特性，按理说在这种情况下是无法完成检波的。但是MOS管转移曲线的起始端开始不久便开始了弯曲，具体到这只K122大约在栅压-0.5V后转移曲线开始弯曲变大，这说明管子的跨导随着栅压的变化而有了较大的变化：信号越正跨导越大，负载得到的正向电流就越大，相反，信号越负跨导越小，负载得到的反向电流就越小，因此虽然在负载两端并联的滤波电容上，正向电流充电引起的电荷积累会被反向电流引起的反向充电抵消掉一部分，由于反向电流小于正向电流，所以电容极板上的电荷不能被完全抵消，这些未被完全抵消掉的残余电荷在滤波电容两段形成的电压便是检波的输出电压，所以如果严格的讲这时MOS管还是有检波作用的，只不过由于上述原因检波输出很小，几乎没有使用价值。 用MOS管检波的矿机电路图： |
