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    初始时，Q1发射极驱动MOSFETQ2的栅极变高，使Q2导通。这时变压器低级线圈T1示意为一只电感，电流在电感中慢慢斜升。当T1、Q2中通过的电流上升到0.62／Rs安培时(计划值约lA)，Q3就导通。把Q1基极及Q4栅极电位拉向地电位，导致可编程单结晶体管Q4触发，这时Q4示意为一只可控硅并敏捷驱动Q2的栅极为零。这时，存储在T1低级线圈中的能量便转向次级线圈，使日光灯受激。这时Q4仍维持原状，直至T1将其能量所有开释给日光灯为止。此时T1中发生的反向电流流回Q2的体二极管，导致Q2的栅级略负，因Q2有漫衍电容存在，Q4的阳极因而也变负，Q4截至，Q2再次导通，开始下一周的振荡。

　　 用图中元件值，振荡频率约30kHz，直流电源为10—20V。在15V时耗损电流为170mA。T1的计划最大峰值电流为0.4A。R1用来节制日光灯亮度，R1阻值较小时则T1中能量增进，使日光灯发光更亮。要关断电路可将ON／OFF端接地即可。